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上面圖表描繪了用 “場 (field)” 來處理薄膜光學的概念。某個角度的一道入射平面波會在下面兩個介面中反覆交錯無數次：空氣到膜層介面以及膜層到基板介面。在每一次的交錯中，就相應產生一道穿透以及一道反射光場，最後這些光場會在同調的假設下相加。經過一番如魔術般建設性以及破壞性干涉後，最後的結果可以用巨觀的反射以及穿透係數來表示。

沒有通用的方法可以處理所有情況。設計人員需要根據具體情況決定其系統的策略。許多設計過程需要兩種不同的光學理論/算法來分別處理光束在自由空間和微結構中的傳播，而其他一些過程僅使用純光線追跡來達到目標。由於模擬技術發展迅速，因此本文可能沒有涵蓋所有可用方法。如果用戶提供新訊息或有任何要求，請隨時與我們聯繫，我們可以相應地更新本文。

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The y+-values (optimum 30–100) have an average of 200 significantly higher than fo the ICEM-CFD/TGrid mesh.5 Post ProcessingEnSight from CEI is used for the post processing.

有限訪問（自訂運算元(User Operands)模式和自訂分析模式），這種情況下，使用者使用現有鏡標頭檔的副本進行處理和分析。自訂分析模式用於填充自訂分析的資料。這些資料是用OpticStudio提供的現有圖形來顯示，用於大多數分析。此模式不允許對當前鏡頭系統或使用者介面進行更改（即：在這種模式下只允許對系統的副本進行更改）。自訂分析可以用C++ (COM)或C# (.NET)編寫。

返回Scenery主界面后，右鍵點擊AMOP模塊并選擇"Show post processing（顯示后期處理）"功能。當前項目文件已集成該元模型的完整分析結果，包含指定輸入條件下器件的損耗特性、n型/p型摻雜分布等關鍵參數的可視化呈現。這為后續開展多參數耦合分析奠定了基礎，使用戶能夠基于已構建的代理模型對任意輸入組合進行快速預測評估。

</li><li>-q：后接隊列名，如 q_x86_sf</li><li>-n：后接程序運行使用核心數</li><li>-o：后接文件名，將輸出打印至該文件中</li><li>-e：后接文件名，將錯誤信息打印至該文件中</li><li>command：Linux 系統運行程序的命令</li></ul><p><br></p><p>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;更多命令參數請查看

根據能量守恒定律和傅里葉定律[11],便可得到方形單體電池在直角坐標系中的導熱微分方程 式中，ρ為電池的密度；c為電池的比熱；SymbolQCp為拉普拉斯算子；λ為電池的導熱系數；[Math Processing Error]為單位體積的電池在單位時間內所產生的熱量。

The suite’s customizable NVH Director automates the tasks involved in NVH analysis by integrating the entire process of meshing, assembly, loadcase setup, and post-processing, to reduce full-vehicle NVH

300個采樣仿真結束之后，我們在 post-processing中即可看到元模型的擬合結果以及各個輸出對輸入的依賴度，即 CoP (Coefficient of Prognosis) matrix，也就是我們所說的參數敏感性分析。